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ON Semiconductor - FDB070AN06A0-F085

KEY Part #: K6399317

FDB070AN06A0-F085 価格設定（USD） [59662個在庫]

  • 1 pcs$0.65537
品番:
FDB070AN06A0-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in ON Semiconductor FDB070AN06A0-F085 electronic components. FDB070AN06A0-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB070AN06A0-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB070AN06A0-F085 製品の属性

品番 : FDB070AN06A0-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 15A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 175W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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