Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP30JHE3/54

KEY Part #: K6447048

[1557個在庫]


    品番:
    RGP30JHE3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP30JHE3/54 electronic components. RGP30JHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP30JHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP30JHE3/54 製品の属性

    品番 : RGP30JHE3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 250ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • CSD10060G

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast