ON Semiconductor - NTMFS4927NCT1G

KEY Part #: K6397168

NTMFS4927NCT1G 価格設定(USD) [354247個在庫]

  • 1 pcs$0.10441
  • 3,000 pcs$0.09462

品番:
NTMFS4927NCT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 8SOFL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS4927NCT1G electronic components. NTMFS4927NCT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4927NCT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4927NCT1G 製品の属性

品番 : NTMFS4927NCT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 8SOFL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.9A (Ta), 38A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 913pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 920mW (Ta), 20.8W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRFR024N

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • FDN339AN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3.

  • NTBS2D7N06M7

    ON Semiconductor

    NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM.

  • SIHA17N80E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220.

  • STF140N8F7

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP.