SE30AFG-M3/6B 価格設定（USD） [866901個在庫]
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- 品番:
- SE30AFG-M3/6B
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30AFG-M3/6B electronic components. SE30AFG-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30AFG-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE30AFG-M3/6B 製品の属性
品番 :
SE30AFG-M3/6B
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
1.4A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
19pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-221AC
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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