Infineon Technologies - BAT6402WH6327XTSA1

KEY Part #: K6445561

[2066個在庫]


    品番:
    BAT6402WH6327XTSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies BAT6402WH6327XTSA1 electronic components. BAT6402WH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT6402WH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAT6402WH6327XTSA1 製品の属性

    品番 : BAT6402WH6327XTSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 40V
    電流-平均整流(Io) : 120mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 100mA
    速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    逆回復時間(trr) : 5ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 30V
    静電容量@ Vr、F : 6pF @ 1V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SC-80
    サプライヤーデバイスパッケージ : SCD-80
    動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

    あなたも興味があるかもしれません
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

    • IDB15E60

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode