Infineon Technologies - BAT54WH6327XTSA1

KEY Part #: K6445544

BAT54WH6327XTSA1 価格設定(USD) [2071個在庫]

  • 3,000 pcs$0.02818

品番:
BAT54WH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BAT54WH6327XTSA1 electronic components. BAT54WH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54WH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT54WH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BAT54WH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 5ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 25V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT323-3
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.