Vishay Siliconix - SI8441DB-T2-E1

KEY Part #: K6392841

SI8441DB-T2-E1 価格設定(USD) [151819個在庫]

  • 1 pcs$0.24485
  • 3,000 pcs$0.24363

品番:
SI8441DB-T2-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI8441DB-T2-E1 electronic components. SI8441DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8441DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8441DB-T2-E1 製品の属性

品番 : SI8441DB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs(最大) : ±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 600pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
パッケージ/ケース : 6-UFBGA

あなたも興味があるかもしれません