説明 :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 1.7mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
33nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1350pF @ 400V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3