ON Semiconductor - NRVTSM260ET1G

KEY Part #: K6425720

NRVTSM260ET1G 価格設定(USD) [1018752個在庫]

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品番:
NRVTSM260ET1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 60V 2A POWERMITE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NRVTSM260ET1G electronic components. NRVTSM260ET1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVTSM260ET1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVTSM260ET1G 製品の属性

品番 : NRVTSM260ET1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 60V 2A POWERMITE
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 60V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 650mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 12µA @ 60V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-216AA
サプライヤーデバイスパッケージ : Powermite
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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