Vishay Semiconductor Diodes Division - BYD33JGPHE3/73

KEY Part #: K6425818

BYD33JGPHE3/73 価格設定(USD) [780710個在庫]

  • 1 pcs$0.04738
  • 6,000 pcs$0.04332

品番:
BYD33JGPHE3/73
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYD33JGPHE3/73 electronic components. BYD33JGPHE3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYD33JGPHE3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYD33JGPHE3/73 製品の属性

品番 : BYD33JGPHE3/73
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 250ns
電流-Vrでの逆漏れ : -
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AL (DO-41)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • DK208DRP

    Littelfuse Inc.

    DIODE RECTIFIER 1200V 8A TO252 R. Rectifiers Diode rectifier 1200V 8A TO252 Reel Pack

  • MBRD6200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 6A DPAK.

  • MBRD3200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 3A DPAK.

  • SDURD1540TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 400V 15A DPAK.

  • EGL34G/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • RGL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.