GeneSiC Semiconductor - MBR35100R

KEY Part #: K6425579

MBR35100R 価格設定(USD) [6654個在庫]

  • 1 pcs$6.19268
  • 100 pcs$5.71257

品番:
MBR35100R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 100V - 35A Schottky Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR35100R electronic components. MBR35100R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR35100R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR35100R 製品の属性

品番 : MBR35100R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 35A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1.5mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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