NSVBAT54LT1G 価格設定（USD） [1478599個在庫]
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- 品番:
- NSVBAT54LT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVBAT54LT1G electronic components. NSVBAT54LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBAT54LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVBAT54LT1G 製品の属性
品番 :
NSVBAT54LT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
30V
電流-平均整流（Io） :
200mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
800mV @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
5ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 25V
静電容量@ Vr、F :
10pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 125°C
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