Vishay Siliconix - SIZ346DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523027

SIZ346DT-T1-GE3 価格設定(USD) [316935個在庫]

  • 1 pcs$0.11670

品番:
SIZ346DT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ346DT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIZ346DT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
シリーズ : PowerPAIR®, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
パワー-最大 : 16W, 16.7W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power33 (3x3)

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