DMN26D0UFB4-7 価格設定（USD） [1369073個在庫]
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- 品番:
- DMN26D0UFB4-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 230MA DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 electronic components. DMN26D0UFB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN26D0UFB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN26D0UFB4-7 製品の属性
品番 :
DMN26D0UFB4-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
230mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14.1pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
350mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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