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Microsemi Corporation - APTM120DA30T1G

KEY Part #: K6396577

APTM120DA30T1G 価格設定（USD） [2343個在庫]

  • 1 pcs$18.48678
  • 100 pcs$18.26704
品番:
APTM120DA30T1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA30T1G electronic components. APTM120DA30T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA30T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30T1G 製品の属性

品番 : APTM120DA30T1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 14560pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 657W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SP1
パッケージ/ケース : SP1

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