Microsemi Corporation - APTCV60HM45BT3G

KEY Part #: K6532975

APTCV60HM45BT3G 価格設定(USD) [1495個在庫]

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品番:
APTCV60HM45BT3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTCV60HM45BT3G 製品の属性

品番 : APTCV60HM45BT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Boost Chopper, Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 50A
パワー-最大 : 250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.15nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3