Infineon Technologies - DF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533655

DF1000R17IE4BOSA1 価格設定(USD) [168個在庫]

  • 1 pcs$273.90251

品番:
DF1000R17IE4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 1700V 1000A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF1000R17IE4BOSA1 製品の属性

品番 : DF1000R17IE4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 1700V 1000A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 6250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 1000A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 81nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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