Infineon Technologies - DF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533655

DF1000R17IE4BOSA1 価格設定(USD) [168個在庫]

  • 1 pcs$273.90251

品番:
DF1000R17IE4BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 1700V 1000A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies DF1000R17IE4BOSA1 electronic components. DF1000R17IE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF1000R17IE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF1000R17IE4BOSA1 製品の属性

品番 : DF1000R17IE4BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 1700V 1000A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : 6250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 1000A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 81nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.