ON Semiconductor - NVHL082N65S3F

KEY Part #: K6416773

NVHL082N65S3F 価格設定(USD) [18704個在庫]

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品番:
NVHL082N65S3F
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
SUPERFET3 650V FRFET82MO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVHL082N65S3F 製品の属性

品番 : NVHL082N65S3F
メーカー : ON Semiconductor
説明 : SUPERFET3 650V FRFET82MO
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3410pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 313W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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