Infineon Technologies - IPP60R060P7XKSA1

KEY Part #: K6416082

IPP60R060P7XKSA1 価格設定(USD) [11852個在庫]

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品番:
IPP60R060P7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R060P7XKSA1 製品の属性

品番 : IPP60R060P7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 48A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 800µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2895pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 164W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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