Infineon Technologies - DF120R12W2H3B27BOMA1

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DF120R12W2H3B27BOMA1 価格設定(USD) [1688個在庫]

  • 1 pcs$25.64829

品番:
DF120R12W2H3B27BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE 800V 50A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF120R12W2H3B27BOMA1 製品の属性

品番 : DF120R12W2H3B27BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE 800V 50A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 50A
パワー-最大 : 180W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 40A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 2.35nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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