Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF10S-M3

KEY Part #: K6442119

VS-8EWF10S-M3 価格設定(USD) [28864個在庫]

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品番:
VS-8EWF10S-M3
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWF10S-M3 製品の属性

品番 : VS-8EWF10S-M3
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 270ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252AA)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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