ON Semiconductor - ISL9R460S3ST

KEY Part #: K6449838

[604個在庫]


    品番:
    ISL9R460S3ST
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor ISL9R460S3ST electronic components. ISL9R460S3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R460S3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ISL9R460S3ST 製品の属性

    品番 : ISL9R460S3ST
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB
    シリーズ : Stealth™
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 4A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.4V @ 4A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 22ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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