DMN3012LDG-7 価格設定（USD） [118861個在庫]
- 1 pcs$0.31118
- 品番:
- DMN3012LDG-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3012LDG-7 electronic components. DMN3012LDG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3012LDG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3012LDG-7 製品の属性
品番 :
DMN3012LDG-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
パワー-最大 :
2.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
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