IPC218N06N3X1SA2 価格設定（USD） [36029個在庫]
- 1 pcs$2.02281
- 品番:
- IPC218N06N3X1SA2
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPC218N06N3X1SA2 electronic components. IPC218N06N3X1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC218N06N3X1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC218N06N3X1SA2 製品の属性
品番 :
IPC218N06N3X1SA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 196µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sawn on foil
パッケージ/ケース :
Die
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