メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
POWER MODULE - COOLMOS
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Level Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
600V
Vce(on)(最大)@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
250µA
入力容量(Cies)@ Vce :
4.62nF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)