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- 品番:
- IRF7752GTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7752GTRPBF electronic components. IRF7752GTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7752GTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7752GTRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7752GTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
861pF @ 25V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
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