IDV20E65D1XKSA1 価格設定（USD） [45618個在庫]
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- 品番:
- IDV20E65D1XKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDV20E65D1XKSA1 electronic components. IDV20E65D1XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDV20E65D1XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDV20E65D1XKSA1 製品の属性
品番 :
IDV20E65D1XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
28A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 20A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
42ns
電流-Vrでの逆漏れ :
40µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-2 Full Pack
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 175°C
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