Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS08SPBF

KEY Part #: K6442718

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    品番:
    VS-8EWS08SPBF
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8EWS08SPBF 製品の属性

    品番 : VS-8EWS08SPBF
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 800V 8A TO252
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 8A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 800V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252, (D-Pak)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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