Texas Instruments - CSD17579Q3AT

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CSD17579Q3AT 価格設定(USD) [231947個在庫]

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品番:
CSD17579Q3AT
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17579Q3AT 製品の属性

品番 : CSD17579Q3AT
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.9V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 998pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSONP (3x3.15)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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