Infineon Technologies - IPL60R210P6AUMA1

KEY Part #: K6404858

IPL60R210P6AUMA1 価格設定(USD) [67254個在庫]

  • 1 pcs$0.58139
  • 3,000 pcs$0.53340

品番:
IPL60R210P6AUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 4VSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPL60R210P6AUMA1 electronic components. IPL60R210P6AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL60R210P6AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R210P6AUMA1 製品の属性

品番 : IPL60R210P6AUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 4VSON
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 210 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 630µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1750pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 151W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-VSON-4
パッケージ/ケース : 4-PowerTSFN

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR2905TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • NDF08N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP.

  • NDF06N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP.

  • NDF08N50ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP.

  • NDF04N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP.

  • NDF05N50ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP.