SQJ469EP-T1_GE3 価格設定（USD） [56682個在庫]
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- 品番:
- SQJ469EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ469EP-T1_GE3 electronic components. SQJ469EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ469EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ469EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJ469EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5100pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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