Infineon Technologies - IPAW60R280CEXKSA1

KEY Part #: K6398545

IPAW60R280CEXKSA1 価格設定(USD) [50010個在庫]

  • 1 pcs$0.78185
  • 450 pcs$0.44002

品番:
IPAW60R280CEXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPAW60R280CEXKSA1 electronic components. IPAW60R280CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAW60R280CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAW60R280CEXKSA1 製品の属性

品番 : IPAW60R280CEXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO220-3
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 430µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 950pF @ 100V
FET機能 : Super Junction
消費電力(最大) : 32W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Variant

あなたも興味があるかもしれません
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.