メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
17A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
187nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
5155pF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)