ES07B-GS08 価格設定（USD） [710648個在庫]
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- 品番:
- ES07B-GS08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07B-GS08 electronic components. ES07B-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07B-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES07B-GS08 製品の属性
品番 :
ES07B-GS08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
500mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
4pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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