Infineon Technologies - BAS21E6327HTSA1

KEY Part #: K6455461

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品番:
BAS21E6327HTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21E6327HTSA1 製品の属性

品番 : BAS21E6327HTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 250mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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