WeEn Semiconductors - BYV60W-600PQ

KEY Part #: K6440764

BYV60W-600PQ 価格設定(USD) [3706個在庫]

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品番:
BYV60W-600PQ
メーカー:
WeEn Semiconductors
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV60W-600P/SOD142/STANDARD MA
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV60W-600PQ electronic components. BYV60W-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV60W-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV60W-600PQ 製品の属性

品番 : BYV60W-600PQ
メーカー : WeEn Semiconductors
説明 : DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 60A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2V @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 55ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-2
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
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