STD4NK60Z-1 価格設定（USD） [137704個在庫]
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- 品番:
- STD4NK60Z-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 4A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD4NK60Z-1 electronic components. STD4NK60Z-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD4NK60Z-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD4NK60Z-1 製品の属性
品番 :
STD4NK60Z-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
シリーズ :
SuperMESH™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
510pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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