FFSH20120ADN-F085 価格設定（USD） [8981個在庫]
- 1 pcs$4.58854
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- 1200V 20A AUTO SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A AUTO SIC SBD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FFSH20120ADN-F085 electronic components. FFSH20120ADN-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFSH20120ADN-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FFSH20120ADN-F085 製品の属性
品番 :
FFSH20120ADN-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
1200V 20A AUTO SIC SBD
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
15A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
-
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
200µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
612pF @ 1V, 100kHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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