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ON Semiconductor - NTMFS4C09NBT1G

KEY Part #: K6394389

NTMFS4C09NBT1G 価格設定（USD） [347779個在庫]

  • 1 pcs$0.10635
  • 3,000 pcs$0.07559
品番:
NTMFS4C09NBT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS4C09NBT1G electronic components. NTMFS4C09NBT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4C09NBT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4C09NBT1G 製品の属性

品番 : NTMFS4C09NBT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1252pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 760mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

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