Microsemi Corporation - APTGT50TL601G

KEY Part #: K6532472

APTGT50TL601G 価格設定（USD） [1688個在庫]

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10 pcs$24.15137
25 pcs$22.64184
100 pcs$21.58529

品番:: APTGT50TL601G

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT50TL601G electronic components. APTGT50TL601G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50TL601G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTGT50TL601G 製品の属性

品番 : APTGT50TL601G

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1

シリーズ : -

部品ステータス : Active

IGBTタイプ : Trench Field Stop

構成 : Three Level Inverter

電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 600V

電流-コレクター（Ic）（最大） : 80A

パワー-最大 : 176W

Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 50A

電流-コレクターのカットオフ（最大） : 250µA

入力容量（Cies）@ Vce : 3.15nF @ 25V

入力 : Standard

NTCサーミスタ : No

動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP1

サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

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