[1990個在庫]
- 品番:
- IRFH7004TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7004TR2PBF electronic components. IRFH7004TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7004TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7004TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFH7004TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
シリーズ :
HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
194nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6419pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-VQFN Exposed Pad
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