TK20G60W,RVQ 価格設定（USD） [76236個在庫]
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- 品番:
- TK20G60W,RVQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 20A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK20G60W,RVQ electronic components. TK20G60W,RVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK20G60W,RVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK20G60W,RVQ 製品の属性
品番 :
TK20G60W,RVQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1680pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
165W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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