GeneSiC Semiconductor - GC05MPS12-252

KEY Part #: K6433473

GC05MPS12-252 価格設定(USD) [26818個在庫]

  • 1 pcs$1.53680

品番:
GC05MPS12-252
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-252-2
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC05MPS12-252 製品の属性

品番 : GC05MPS12-252
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 27A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 5A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 4µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 359pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
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