Vishay Semiconductor Diodes Division - S07D-GS18

KEY Part #: K6439380

S07D-GS18 価格設定(USD) [1082548個在庫]

  • 1 pcs$0.03417
  • 50,000 pcs$0.02935

品番:
S07D-GS18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 200 Volt 1.8uS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S07D-GS18 electronic components. S07D-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S07D-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S07D-GS18 製品の属性

品番 : S07D-GS18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GP 200V 700MA DO219AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 700mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 1.8µs
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 4pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • DSS6-0045AS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 45V

  • DSS6-015AS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 150V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 150V

  • DSEP6-06AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DPG10IM300UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V

  • DSS6-0025BS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 25V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 25V

  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V