ES3A-E3/9AT 価格設定（USD） [435286個在庫]
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- 品番:
- ES3A-E3/9AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB. Rectifiers 50 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3A-E3/9AT electronic components. ES3A-E3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3A-E3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES3A-E3/9AT 製品の属性
品番 :
ES3A-E3/9AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
30ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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