Microsemi Corporation - JANTXV1N6625

KEY Part #: K6444308

[2493個在庫]


    品番:
    JANTXV1N6625
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6625 electronic components. JANTXV1N6625 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6625, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6625 製品の属性

    品番 : JANTXV1N6625
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
    シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/585
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1100V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.75V @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 60ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 1100V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : A, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : A-PAK
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • VS-10WQ045FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-STPS1045BTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-10TQ035SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK.

    • VS-10ETF06SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK.