Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF06SPBF

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VS-10ETF06SPBF 価格設定(USD) [2463個在庫]

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品番:
VS-10ETF06SPBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
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ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF06SPBF 製品の属性

品番 : VS-10ETF06SPBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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