[12833個在庫]
- 品番:
- IRFD210
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFD210 electronic components. IRFD210 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD210, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFD210 製品の属性
品番 :
IRFD210
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
600mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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