[1989個在庫]
- 品番:
- IRFH7110TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF electronic components. IRFH7110TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7110TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7110TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFH7110TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Ta), 58A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3240pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-TQFN Exposed Pad
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