IXYS - DSEP30-12A

KEY Part #: K6446924

DSEP30-12A 価格設定(USD) [20111個在庫]

  • 1 pcs$2.25198
  • 10 pcs$2.01180
  • 25 pcs$1.81057
  • 100 pcs$1.64967
  • 250 pcs$1.48874
  • 500 pcs$1.33583
  • 1,000 pcs$1.06883

品番:
DSEP30-12A
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD. Rectifiers 1200V 30A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS DSEP30-12A electronic components. DSEP30-12A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSEP30-12A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DSEP30-12A 製品の属性

品番 : DSEP30-12A
メーカー : IXYS
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD
シリーズ : HiPerFRED™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.74V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 40ns
電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RHRD660S9A_NL

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

  • MMBD1501A_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MMBD1201_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.